CHNJET喷气俱乐部

 找回密码
 立即注册

QQ登录

只需一步,快速开始

扫一扫,访问微社区

查看: 2229|回复: 0

紫光国产32层NAND闪存耗资10亿美元研发,2018年内量产

[复制链接]
发表于 2018-5-15 11:10:43 | 显示全部楼层 |阅读模式

马上注册,结交更多好友,享用更多功能,让你轻松玩转社区。

您需要 登录 才可以下载或查看,没有帐号?立即注册

x
作者:孟宪瑞

NAND闪存芯片是智能手机、SSD硬盘等行业中的基础,也是仅次于DRAM内存的第二大存储芯片,国内的存储芯片几乎100%依赖进口。好在国产NAND闪存目前已经露出了曙光,紫光集团旗下的长江存储正在武汉建设NAND工厂,预计今年内量产,据悉国产NAND闪存是32层堆栈的,是1000多名研究人员耗时2年、耗资10亿美元研发的。

今年5月10日上海展览中心举办了首届中国自主品牌博览会,这次展会得到了国家发展改革委联合中宣部、工业和信息化部、农业农村部、商务部、国家市场监管总局、国家知识产权局、上海市人民政府的支持,主题为 “中国品牌、世界共享”,紫光集团代表北京市品牌企业参展。

紫光集团下的紫光展锐展示了SC9850HK芯片,号称是全国第一家、世界第二家拥有自主嵌入式CPU关键技术的手机芯片平台,是中国手机CPU芯片设计领域的一项重大突破。这款芯片是中国首款拥有自主嵌入式CPU关键技术的LTE手机芯片,其中的核心CPU为独立自主设计,并在此基础上建立独立安全机制,有效保障信息安全。

不过引人关注的是紫光的国产NAND闪存的公开展出,根据官方资料介绍,国产32层3D NAND闪存是长江存储耗资10亿美元,1000人团队研发2年出来的具备国产自主知识产权的3D NAND芯片。

关于制造工艺,紫光没有明确提到工艺信息,但表示这是我国在制造工艺上最接近国际高端水平的主流芯片,将有望使中国进入全球存储芯片第一梯队,有力提升“中国芯”在国际市场的地位。

目前国产32层3D NAND闪存已经研发成功,长江存储国家存储器基地项目芯片生产机台已进场安装,这标志着国家存储器基地从厂房建设阶段进入量产准备阶段,中国首批拥有完全自主知识产权的32层三维NAND闪存芯片将于年内量产。

根据之前的报道,长江存储将在武汉投资建设三期工程,目前即将完工的是一期工程,投资240亿美元,主要生产NAND闪存,建成后产能将达30万片晶圆/月。
86.jpg
楼主热帖
回复

使用道具 举报

您需要登录后才可以回帖 登录 | 立即注册

本版积分规则

sitemap|联系站长|版权说明|小黑屋|Archiver|手机版|CHNJET喷气俱乐部 ( 京ICP备15028347号-2 京公网安备 11011202000937号 )

GMT+8, 2020-4-5 14:19

Powered by Discuz! X3.4

© 2001-2017 Comsenz Inc.

快速回复 返回顶部 返回列表